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CTLDM7120-M832DS BK /MOSFET DUAL N-CHANNEL
CTLDM7120-M832DS BK的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

包装散装

系列-

零件状态停產

FET 类型2 N-通道(双)

FET 功能逻辑电平门

漏源电压(Vdss)20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)1A(Ta)

不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)100 毫欧 @ 500mA,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.2V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)2.4nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)220pF @ 10V

功率 - 最大值1.65W

工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)

安装类型表面贴装型

封装/外壳8-TDFN 裸露焊盘

供应商器件封装TLM832DS

供应商CTLDM7120-M832DS BK
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